SiO2 тънкослойна термична оксидна силициева пластина 4 инча 6 инча 8 инча 12 инча

Основният процес на производство на оксидирани силициеви пластини обикновено включва следните стъпки: растеж на монокристален силиций, нарязване на пластини, полиране, почистване и окисляване.

Растеж на монокристален силиций: Първо, монокристален силиций се отглежда при високи температури чрез методи като метода на Чохралски или метода на плаващата зона.Този метод позволява получаването на силициеви монокристали с висока чистота и цялост на решетката.

Нарязване на кубчета: Израсналият монокристален силиций обикновено е в цилиндрична форма и трябва да бъде нарязан на тънки пластини, които да се използват като субстрат за пластини.Рязането обикновено се извършва с диамантен фреза.

Полиране: Повърхността на изрязаната вафла може да е неравна и изисква химико-механично полиране, за да се получи гладка повърхност.

Почистване: Полираната вафла се почиства за отстраняване на замърсявания и прах.

Оксидиране: Накрая силициевите пластини се поставят във високотемпературна пещ за окислителна обработка, за да се образува защитен слой от силициев диоксид за подобряване на неговите електрически свойства и механична якост, както и да служи като изолационен слой в интегрални схеми.

Основните приложения на оксидирани силициеви пластини включват производството на интегрални схеми, производството на слънчеви клетки и производството на други електронни устройства.Пластините от силициев оксид се използват широко в областта на полупроводниковите материали поради техните отлични механични свойства, размерна и химическа стабилност, способност да работят при високи температури и високи налягания, както и добри изолационни и оптични свойства.

Неговите предимства включват пълна кристална структура, чист химичен състав, точни размери, добри механични свойства и т.н. Тези характеристики правят пластините от силициев оксид особено подходящи за производството на високопроизводителни интегрални схеми и други микроелектронни устройства.