8-инчов 200 mm 4H-N SiC Wafer проводящ манекен изследователски клас

8-инчов 200 mm 4H-N SiC вафлен проводим манекен изследователски клас Представено изображение

Кратко описание:

С развитието на транспортните, енергийните и индустриалните пазари, търсенето на надеждна, високопроизводителна силова електроника продължава да расте.За да отговорят на нуждите от подобрена производителност на полупроводниците, производителите на устройства търсят широколентови полупроводникови материали, като нашето портфолио от 4H SiC Prime Grade от 4H n-тип пластини от силициев карбид (SiC).

Изпратете имейл до нас

Подробности за продукта

Продуктови етикети

Благодарение на своите уникални физически и електронни свойства, 200 mm SiC пластинчат полупроводников материал се използва за създаване на високопроизводителни, високотемпературни, устойчиви на радиация и високочестотни електронни устройства.Цената на 8-инчовия SiC субстрат постепенно намалява, тъй като технологията става все по-напреднала и търсенето нараства.Последните технологични разработки водят до мащабно производство на 200 mm SiC пластини.Основните предимства на полупроводниковите материали с пластини SiC в сравнение с пластините Si и GaAs: Напрегнатостта на електрическото поле на 4H-SiC по време на лавинообразен разпад е с повече от порядък по-висока от съответните стойности за Si и GaAs.Това води до значително намаляване на съпротивлението във включено състояние Ron.Ниското съпротивление в включено състояние, комбинирано с висока плътност на тока и топлопроводимост, позволява използването на много малка матрица за захранващи устройства.Високата топлопроводимост на SiC намалява термичното съпротивление на чипа.Електронните свойства на устройствата, базирани на пластини SiC, са много стабилни във времето и температурно стабилни, което гарантира висока надеждност на продуктите.Силициевият карбид е изключително устойчив на силно излъчване, което не влошава електронните свойства на чипа.Високата гранична работна температура на кристала (повече от 6000C) ви позволява да създавате високонадеждни устройства за тежки условия на работа и специални приложения.Понастоящем можем да доставяме малки партиди 200 mmSiC пластини стабилно и непрекъснато и да имаме запаси в склада.

Спецификация

Номер	Вещ	Мерна единица	производство	Проучване	манекен
1. Параметри
1.1	политип	--	4H	4H	4H
1.2	повърхностна ориентация	°	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5	<11-20>4±0,5
2. Електрически параметър
2.1	добавка	--	n-тип азот	n-тип азот	n-тип азот
2.2	съпротивление	ом · cm	0,015~0,025	0,01~0,03	NA
3. Механичен параметър
3.1	диаметър	mm	200±0,2	200±0,2	200±0,2
3.2	дебелина	μm	500±25	500±25	500±25
3.3	Ориентация на прореза	°	[1- 100]±5	[1- 100]±5	[1- 100]±5
3.4	Дълбочина на прореза	mm	1~1,5	1~1,5	1~1,5
3.5	LTV	μm	≤5 (10 мм * 10 мм)	≤5 (10 мм * 10 мм)	≤10 (10 мм * 10 мм)
3.6	TTV	μm	≤10	≤10	≤15
3.7	Лък	μm	-25~25	-45~45	-65~65
3.8	Деформация	μm	≤30	≤50	≤70
3.9	AFM	nm	Ra≤0,2	Ra≤0,2	Ra≤0,2
4. Структура
4.1	плътност на микротръбата	ea/cm2	≤2	≤10	≤50
4.2	съдържание на метал	атоми/cm2	≤1E11	≤1E11	NA
4.3	TSD	ea/cm2	≤500	≤1000	NA
4.4	BPD	ea/cm2	≤2000	≤5000	NA
4.5	ТЕД	ea/cm2	≤7000	≤10000	NA
5. Положително качество
5.1	отпред	--	Si	Si	Si
5.2	повърхностно покритие	--	Si-face CMP	Si-face CMP	Si-face CMP
5.3	частица	ea/вафла	≤100 (размер≥0.3μm)	NA	NA
5.4	драскотина	ea/вафла	≤5, обща дължина≤200 мм	NA	NA
5.5	Ръб, край чипове/вдлъбнатини/пукнатини/петна/замърсяване	--	Нито един	Нито един	NA
5.6	Политипни области	--	Нито един	Площ ≤10%	Площ ≤30%
5.7	предна маркировка	--	Нито един	Нито един	Нито един
6. Качество на гърба
6.1	обратно покритие	--	C-лице MP	C-лице MP	C-лице MP
6.2	драскотина	mm	NA	NA	NA
6.3	Гръб дефекти ръб чипове/вдлъбнатини	--	Нито един	Нито един	NA
6.4	Грапавост на гърба	nm	Ra≤5	Ra≤5	Ra≤5
6.5	Маркировка на гърба	--	прорез	прорез	прорез
7. Ръб
7.1	ръб, край	--	фаска	фаска	фаска
8. Опаковка
8.1	опаковка	--	Epi-ready с вакуум опаковка	Epi-ready с вакуум опаковка	Epi-ready с вакуум опаковка
8.2	опаковка	--	Мултивафла касетна опаковка	Мултивафла касетна опаковка	Мултивафла касетна опаковка