У дома
Компания
Относно Xinkehui
Продукти
Епи-слой
Оптични продукти
Субстрат
LiTaO3_LiNbO3
Сапфир
SiC
Силиций
Синтетичен скъпоценен кристал
Вафлен носач
Новини
Контакт
English
У дома
Продукти
Субстрат
Субстрат
4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch production Dummy grade Dia150mm Silicon Carbide substrate
8-инчова силиконова пластина P/N-тип (100) 1-100Ω фиктивен субстрат за възстановяване
2 инча 50,8 мм силиконова пластина FZ N-тип SSP
4-инчова силиконова пластина FZ CZ N-тип DSP или SSP Тестова степен
6-инчова силиконова пластина N-тип или P-тип CZ Si вафла
SiO2 тънкослойна термична оксидна силициева пластина 4 инча 6 инча 8 инча 12 инча
Силикон-върху изолаторен субстрат SOI пластина три слоя за микроелектроника и радиочестота
SOI вафлен изолатор върху силициеви 8-инчови и 6-инчови SOI (Silicon-On-Insulator) вафли
Диаметър 300x1,0 мм Дебелина Сапфирена пластина C-равнина SSP/DSP
12-инчов Sapphire Wafer C-Plane SSP/DSP
Вафла от силициев диоксид SiO2 вафла с дебелина Полирана, първична и тестова степен
FZ CZ Si вафла на склад 12-инчова силиконова вафла Основно или тестово
1
2
3
4
Следващ >
>>
Страница 1 / 4
Натиснете enter за търсене или ESC за затваряне
English
French
German
Portuguese
Spanish
Russian
Japanese
Korean
Arabic
Irish
Greek
Turkish
Italian
Danish
Romanian
Indonesian
Czech
Afrikaans
Swedish
Polish
Basque
Catalan
Esperanto
Hindi
Lao
Albanian
Amharic
Armenian
Azerbaijani
Belarusian
Bengali
Bosnian
Bulgarian
Cebuano
Chichewa
Corsican
Croatian
Dutch
Estonian
Filipino
Finnish
Frisian
Galician
Georgian
Gujarati
Haitian
Hausa
Hawaiian
Hebrew
Hmong
Hungarian
Icelandic
Igbo
Javanese
Kannada
Kazakh
Khmer
Kurdish
Kyrgyz
Latin
Latvian
Lithuanian
Luxembou..
Macedonian
Malagasy
Malay
Malayalam
Maltese
Maori
Marathi
Mongolian
Burmese
Nepali
Norwegian
Pashto
Persian
Punjabi
Serbian
Sesotho
Sinhala
Slovak
Slovenian
Somali
Samoan
Scots Gaelic
Shona
Sindhi
Sundanese
Swahili
Tajik
Tamil
Telugu
Thai
Ukrainian
Urdu
Uzbek
Vietnamese
Welsh
Xhosa
Yiddish
Yoruba
Zulu
Kinyarwanda
Tatar
Oriya
Turkmen
Uyghur