SiC керамична плоча/тава за 4-инчов 6-инчов държач за пластини за ICP

Кратко описание:

Керамичната плоча SiC е високопроизводителен компонент, изработен от високочист силициев карбид, предназначен за употреба в екстремни термични, химични и механични среди. Известна с изключителната си твърдост, топлопроводимост и устойчивост на корозия, SiC плочата се използва широко като носител на пластини, токоприемник или структурен компонент в полупроводниковата, LED, фотоволтаичната и аерокосмическата промишленост.

Изпратете ни имейл

Характеристики

SiC керамична плоча Резюме

С изключителна термична стабилност до 1600°C и отлична устойчивост на реактивни газове и плазмени среди, SiC плочата осигурява постоянна производителност по време на процеси на високотемпературно ецване, отлагане и дифузия. Нейната плътна, непореста микроструктура минимизира генерирането на частици, което я прави идеална за ултрачисти приложения във вакуумни или чисти помещения.

Приложение на SiC керамична плоча

1. Производство на полупроводници

Керамичните пластини от SiC често се използват като носители на пластини, токоприемници и пиедестални пластини в оборудване за производство на полупроводници, като например CVD (химическо отлагане от пари), PVD (физическо отлагане от пари) и системи за ецване. Тяхната отлична топлопроводимост и ниско термично разширение им позволяват да поддържат равномерно разпределение на температурата, което е от решаващо значение за високопрецизната обработка на пластини. Устойчивостта на SiC на корозивни газове и плазми осигурява издръжливост в тежки условия, като спомага за намаляване на замърсяването с частици и поддръжката на оборудването.

2. LED индустрия – ICP ецване

В сектора на производството на светодиоди, SiC пластините са ключови компоненти в ICP (индуктивно свързана плазма) системите за ецване. Действайки като държачи за пластини, те осигуряват стабилна и термично устойчива платформа за поддържане на сапфирени или GaN пластини по време на плазмена обработка. Тяхната отлична плазмена устойчивост, повърхностна плоскост и размерна стабилност спомагат за осигуряване на висока точност и еднородност на ецването, което води до повишен добив и производителност на устройствата в LED чиповете.

3. Фотоволтаици (PV) и слънчева енергия

Керамичните плочи от SiC се използват и в производството на слънчеви клетки, особено по време на етапите на високотемпературно синтероване и отгряване. Тяхната инертност при повишени температури и способността им да устояват на деформация осигуряват постоянна обработка на силициевите пластини. Освен това, ниският риск от замърсяване е жизненоважен за поддържане на ефективността на фотоволтаичните клетки.

Свойства на SiC керамичната плоча

1. Изключителна механична якост и твърдост

SiC керамичните плочи показват много висока механична якост, с типична якост на огъване над 400 MPa и твърдост по Викерс, достигаща >2000 HV. Това ги прави изключително устойчиви на механично износване, абразия и деформация, осигурявайки дълъг експлоатационен живот дори при високо натоварване или многократно термично циклиране.

2. Висока топлопроводимост

SiC има отлична топлопроводимост (обикновено 120–200 W/m·K), което му позволява равномерно разпределяне на топлината по повърхността му. Това свойство е от решаващо значение в процеси като ецване, отлагане или синтероване на пластини, където равномерността на температурата влияе пряко върху добива и качеството на продукта.

3. Превъзходна термична стабилност

С висока точка на топене (2700°C) и нисък коефициент на термично разширение (4,0 × 10⁻⁶/K), керамичните плочи от SiC поддържат точност на размерите и структурна цялост при бързи цикли на нагряване и охлаждане. Това ги прави идеални за приложения във високотемпературни пещи, вакуумни камери и плазмени среди.

Технически свойства
Индекс	Единица	Стойност
Име на материала		Реакционно синтерован силициев карбид	Безнапорен синтерован силициев карбид	Рекристализиран силициев карбид
Състав		RBSiC	SSiC	R-SiC
Обемна плътност	г/см3	3	3,15 ± 0,03	2.60-2.70
Якост на огъване	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20°C) 90-100 (1400°C)
Якост на натиск	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Твърдост	Кнуп	2700	2800	/
Пречупване на упоритостта	МПа м1/2	4.5	4	/
Топлопроводимост	W/mk	95	120	23
Коефициент на термично разширение	10^-60,1/°C	5	4	4.7
Специфична топлина	Джаул/г 0k	0.8	0.67	/
Максимална температура на въздуха	℃	1200	1500	1600 г.
Модул на еластичност	Среден успех	360	410	240

Въпроси и отговори за SiC керамични плочи

В: Какви са свойствата на силициево-карбидната плоча?

А： Силициево-карбидните (SiC) плочи са известни с високата си якост, твърдост и термична стабилност. Те предлагат отлична топлопроводимост и ниско термично разширение, което осигурява надеждна работа при екстремни температури. SiC е химически инертен, устойчив на киселини, основи и плазмени среди, което го прави идеален за обработка на полупроводници и светодиоди. Неговата плътна, гладка повърхност минимизира генерирането на частици, поддържайки съвместимост с чисти помещения. SiC плочите се използват широко като носители на пластини, токоприемници и поддържащи компоненти във високотемпературни и корозивни среди в полупроводниковата, фотоволтаичната и аерокосмическата промишленост.