2 инча SiC вафли 6H или 4H полуизолиращи SiC субстрати Диаметър 50,8 mm
Нанасяне на субстрат от силициев карбид
Субстратът от силициев карбид може да бъде разделен на проводящ тип и полуизолационен тип според съпротивлението.Проводимите устройства от силициев карбид се използват главно в електрически превозни средства, фотоволтаично производство на енергия, железопътен транспорт, центрове за данни, зареждане и друга инфраструктура.Индустрията за електрически превозни средства има огромно търсене на проводими субстрати от силициев карбид и в момента Tesla, BYD, NIO, Xiaopeng и други компании за нови енергийни превозни средства планират да използват дискретни устройства или модули от силициев карбид.
Полуизолираните устройства от силициев карбид се използват главно в 5G комуникации, комуникации с превозни средства, приложения за национална отбрана, предаване на данни, космическо пространство и други области.Чрез отглеждане на епитаксиалния слой от галиев нитрид върху полуизолираната подложка от силициев карбид, епитаксиалната пластина от галиев нитрид на основата на силиций може допълнително да бъде направена в микровълнови RF устройства, които се използват главно в радиочестотното поле, като усилватели на мощност в 5G комуникация и радиодетектори в националната отбрана.
Производството на продукти от силициев карбид субстрат включва разработване на оборудване, синтез на суровини, растеж на кристали, рязане на кристали, обработка на пластини, почистване и тестване и много други връзки.По отношение на суровините, индустрията Songshan Boron осигурява суровини от силициев карбид за пазара и е постигнала продажби на малки партиди.Полупроводниковите материали от трето поколение, представени от силициевия карбид, играят ключова роля в съвременната индустрия, с ускоряването на навлизането на нови енергийни превозни средства и фотоволтаични приложения, търсенето на субстрат от силициев карбид е на път да доведе до инфлексна точка.