Трислойна SOI пластина от силиций върху изолатор за микроелектроника и радиочестоти

Кратко описание:

Пълното наименование на SOI е „Силиций върху изолатор“. Това е структурата на силициевия транзистор върху изолатора. Принципът е, че добавянето на изолационен материал между силициевия транзистор може да намали паразитния капацитет между двата елемента до два пъти в сравнение с оригинала.


Детайли за продукта

Етикети на продукти

Въвеждане на кутия за вафли

Представяме ви нашата усъвършенствана SOI (Silicon-On-Insulator) пластина, щателно проектирана с три отделни слоя, революционизираща микроелектрониката и радиочестотните (RF) приложения. Тази иновативна подложка комбинира горен силициев слой, изолационен оксиден слой и долен силициев субстрат, за да осигури несравнима производителност и гъвкавост.

Проектирана за изискванията на съвременната микроелектроника, нашата SOI пластина осигурява солидна основа за производството на сложни интегрални схеми (ИС) с превъзходна скорост, енергийна ефективност и надеждност. Горният силициев слой позволява безпроблемна интеграция на сложни електронни компоненти, докато изолационният оксиден слой минимизира паразитния капацитет, подобрявайки цялостната производителност на устройството.

В областта на радиочестотните приложения, нашата SOI пластина се отличава с ниския си паразитен капацитет, високото пробивно напрежение и отличните изолационни свойства. Идеална за радиочестотни превключватели, усилватели, филтри и други радиочестотни компоненти, тази подложка осигурява оптимална производителност в безжични комуникационни системи, радарни системи и други.

Освен това, присъщата радиационна устойчивост на нашата SOI пластина я прави идеална за аерокосмически и отбранителни приложения, където надеждността в тежки условия е от решаващо значение. Здравата ѝ конструкция и изключителните ѝ характеристики гарантират постоянна работа дори в екстремни условия.

Основни характеристики:

Трислойна архитектура: горен силициев слой, изолационен оксиден слой и долен силициев субстрат.

Превъзходна микроелектронна производителност: Позволява производството на усъвършенствани интегрални схеми с подобрена скорост и енергийна ефективност.

Отлични радиочестотни характеристики: Нисък паразитен капацитет, високо пробивно напрежение и превъзходни изолационни свойства за радиочестотни устройства.

Надеждност от аерокосмически клас: Присъщата радиационна толерантност осигурява надеждност в тежки условия.

Универсални приложения: Подходящи за широк спектър от индустрии, включително телекомуникации, аерокосмическа индустрия, отбрана и други.

Изпитайте следващото поколение микроелектроника и радиочестотна технология с нашата усъвършенствана SOI (Silicon-On-Insulator) пластина. Отключете нови възможности за иновации и стимулирайте напредъка във вашите приложения с нашето авангардно решение за субстрати.

Подробна диаграма

АСД
АСД

  • Предишно:
  • Следващо:

  • Напишете съобщението си тук и ни го изпратете