SiC
-
4H-SEMI HPSI 2Inch SIC субстрат вафла Производство на манекенска степен
-
2 инча SiC вафли 6H или 4H полуизолиращи SiC субстрати Диаметър 50,8 mm
-
4H-N 8 инча SiC субстрат вафла силициев карбид Dummy Изследователски клас 500um дебелина
-
8 инча 200 mm силициево-карбидни SiC вафли 4H-N тип Производствен клас 500um дебелина
-
2 инчови силициеви карбидни вафли 6h или 4h n-тип или полу-инсулиращи SIC субстрати
-
4H-n 4 инчов SIC субстрат вафла силиций карбид производство на манекенски клас Research степен
-
6-инч 150 мм силициев карбид sic wafers 4h-n тип за MOS или SBD Производствени изследвания и манекен клас
-
8-инчов 200 mm 4H-N SiC Wafer проводящ манекен изследователски клас
-
2 инчови силициеви карбидни вафли 6h или 4h n-тип или полу-инсулиращи SIC субстрати