Оптична леща Sic 6SP 10x10x10mmt 4H-SEMI HPSI, персонализиран размер

1. Висок индекс на пречупване и широк прозорец на пропускане: Оптичните SiC лещи демонстрират изключителни оптични характеристики с индекс на пречупване от приблизително 2,6-2,7 в целия си работен спектър. Този широк прозорец на пропускане (600-1850 nm) обхваща както видимата, така и близката инфрачервена област, което ги прави особено ценни за мултиспектрални системи за изображения и широколентови оптични приложения. Ниският коефициент на поглъщане на материала в тези диапазони осигурява минимално затихване на сигнала, дори при приложения с мощни лазери.

2. Изключителни нелинейни оптични свойства: Уникалната кристална структура на силициевия карбид му придава забележителни нелинейни оптични коефициенти (χ(2) ≈ 15 pm/V, χ(3) ≈ 10-20 m²/V²), което позволява ефективни процеси на преобразуване на честотата. Тези свойства се използват активно в авангардни приложения като оптични параметрични осцилатори, ултрабързи лазерни системи и устройства за изцяло оптична обработка на сигнали. Високият праг на повреда на материала (>5 GW/cm²) допълнително повишава пригодността му за приложения с висок интензитет.

3. Механична и термична стабилност: С модул на еластичност, приближаващ се до 400 GPa, и топлопроводимост, надвишаваща 300 W/m·K, оптичните компоненти от SiC поддържат изключителна стабилност при механично натоварване и термични цикли. Ултраниският коефициент на термично разширение (4.0×10-6/K) осигурява минимално фокусно изместване при температурни колебания, което е критично предимство за прецизни оптични системи, работещи в променливи температурни среди, като например космически приложения или промишлено лазерно обработващо оборудване.

4. Квантови свойства: Цветните центрове на силициевата вакансия (VSi) и дивакансията (VSiVC) в политиповете 4H-SiC и 6H-SiC показват оптично адресируеми спинови състояния с дълги времена на кохерентност при стайна температура. Тези квантови емитери се интегрират в мащабируеми квантови мрежи и са особено обещаващи за разработване на квантови сензори и устройства с квантова памет при стайна температура във фотонни квантови изчислителни архитектури.

5. CMOS съвместимост: Съвместимостта на SiC със стандартните процеси за производство на полупроводници позволява директна монолитна интеграция със силициеви фотонни платформи. Това позволява създаването на хибридни фотонно-електронни системи, комбиниращи оптичните предимства на SiC с електронната функционалност на силиция, отваряйки нови възможности за проектиране на системи върху чип в оптичните изчисления и сензорни приложения.