Начало
Компания
Относно Xinkehui
Продукти
Субстрат
Сапфир
SiC
Силиций
LiTaO3_LiNbO3
Оптични продукти
Епи-слой
Керамични изделия
Синтетичен скъпоценен кристал
Вафлен носач
Полупроводниково оборудване
Метален монокристален материал
Новини
Контакт
English
Начало
Продукти
Продукти
Полуизолационен SiC върху Si композитни субстрати
Полуизолационни SiC композитни субстрати Диаметър 2 инча 4 инча 6 инча 8 инча HPSI
Персонализирано оборудване за лодка от кварцов кристал за устойчивост на висока температура и износване
P-тип SiC субстрат SiC вафла Dia2inch нов продукт
N-тип SiC върху Si композитни субстрати Диаметър 6 инча
SiC субстрат Dia200 mm 4H-N и HPSI силициев карбид
3-инчов SiC субстрат Производство Dia76.2mm 4H-N
SiC субстрат P и D клас Dia50 mm 4H-N 2 инча
TGV Стъклени субстрати 12 инча вафла Стъкло щанцоване
Материал прасковен розов сапфир Корунд скъпоценен камък за пръстен или колие
4H-N/6H-N SiC Wafer Reasearch production Dummy grade Dia150mm Silicon Carbide substrate
8-инчова силиконова пластина P/N-тип (100) 1-100Ω фиктивен възстановен субстрат
<<
< Предишен
1
2
3
4
5
6
Следващ >
>>
Страница 4 / 15
Натиснете enter за търсене или ESC за затваряне
English
French
German
Portuguese
Spanish
Russian
Japanese
Korean
Arabic
Irish
Greek
Turkish
Italian
Danish
Romanian
Indonesian
Czech
Afrikaans
Swedish
Polish
Basque
Catalan
Esperanto
Hindi
Lao
Albanian
Amharic
Armenian
Azerbaijani
Belarusian
Bengali
Bosnian
Bulgarian
Cebuano
Chichewa
Corsican
Croatian
Dutch
Estonian
Filipino
Finnish
Frisian
Galician
Georgian
Gujarati
Haitian
Hausa
Hawaiian
Hebrew
Hmong
Hungarian
Icelandic
Igbo
Javanese
Kannada
Kazakh
Khmer
Kurdish
Kyrgyz
Latin
Latvian
Lithuanian
Luxembou..
Macedonian
Malagasy
Malay
Malayalam
Maltese
Maori
Marathi
Mongolian
Burmese
Nepali
Norwegian
Pashto
Persian
Punjabi
Serbian
Sesotho
Sinhala
Slovak
Slovenian
Somali
Samoan
Scots Gaelic
Shona
Sindhi
Sundanese
Swahili
Tajik
Tamil
Telugu
Thai
Ukrainian
Urdu
Uzbek
Vietnamese
Welsh
Xhosa
Yiddish
Yoruba
Zulu
Kinyarwanda
Tatar
Oriya
Turkmen
Uyghur