През последните години, с непрекъснатото навлизане на приложения надолу по веригата, като нови енергийни превозни средства, фотоволтаично производство на енергия и съхранение на енергия, SiC, като нов полупроводников материал, играе важна роля в тези области.Според отчета за пазара на Power SiC на Yole Intelligence, публикуван през 2023 г., се прогнозира, че до 2028 г. размерът на глобалния пазар на мощни SiC устройства ще достигне близо 9 милиарда долара, което представлява ръст от приблизително 31% в сравнение с 2022 г. Общият размер на пазара на SiC полупроводниците показва постоянна тенденция на разширяване.
Сред многобройните пазарни приложения новите енергийни превозни средства доминират със 70% пазарен дял.В момента Китай се е превърнал в най-големия производител, потребител и износител на превозни средства с нова енергия в света.Според "Nikkei Asian Review" през 2023 г., задвижван от нови енергийни превозни средства, износът на автомобили от Китай за първи път надмина Япония, превръщайки Китай в най-големия износител на автомобили в света.
Изправена пред процъфтяващото пазарно търсене, китайската SiC индустрия дава началото на критична възможност за развитие.
След публикуването на „Тринадесетия петгодишен план“ за национални научни и технологични иновации от Държавния съвет през юли 2016 г., разработването на полупроводникови чипове от трето поколение получи голямо внимание от страна на правителството и получи положителни отговори и широка подкрепа в различни региони.До август 2021 г. Министерството на промишлеността и информационните технологии (MIIT) допълнително включи полупроводници от трето поколение в „Четиринадесетия петгодишен план“ за развитие на иновациите в промишлената наука и технологиите, като инжектира допълнителен импулс в растежа на вътрешния пазар на SiC.
Водени както от търсенето на пазара, така и от политиките, местните SiC индустриални проекти се появяват бързо като гъби след дъжд, представяйки ситуация на широко разпространено развитие.Според нашата непълна статистика към момента строителни проекти, свързани със SiC, са разгърнати в най-малко 17 града.Сред тях, Jiangsu, Shanghai, Shandong, Zhejiang, Guangdong, Hunan, Fujian и други региони се превърнаха във важни центрове за развитието на SiC индустрията.По-специално, с новия проект на ReTopTech, пуснат в производство, той допълнително ще укрепи цялата местна верига за производство на полупроводници от трето поколение, особено в Гуангдонг.
Следващото оформление за ReTopTech е 8-инчовият SiC субстрат.Въпреки че 6-инчовите SiC субстрати в момента доминират на пазара, тенденцията на развитие на индустрията постепенно се измества към 8-инчови субстрати поради съображения за намаляване на разходите.Според прогнозите на GTAT цената на 8-инчовите субстрати се очаква да бъде намалена с 20% до 35% в сравнение с 6-инчовите субстрати.В момента добре известни производители на SiC като Wolfspeed, ST, Coherent, Soitec, Sanan, Taike Tianrun и Xilinx Integration, както местни, така и международни, започнаха постепенно да преминават към 8-инчови субстрати.
В този контекст ReTopTech планира да създаде в бъдеще Център за изследване и развитие на технологии за растеж на кристали с голям размер и епитаксия.Компанията ще си сътрудничи с местни ключови лаборатории, за да се включи в сътрудничество при споделяне на инструменти и оборудване и изследване на материали.Освен това ReTopTech планира да засили сътрудничеството за иновации в технологията за обработка на кристали с големи производители на оборудване и да участва в съвместни иновации с водещи предприятия надолу по веригата в изследването и развитието на автомобилни устройства и модули.Тези мерки имат за цел да подобрят китайското ниво на научноизследователска и развойна дейност и индустриализация на производствените технологии в областта на 8-инчовите субстратни платформи.
Полупроводниците от трето поколение, със SiC като негов основен представител, са всеобщо признати като едно от най-обещаващите подполета в рамките на цялата полупроводникова индустрия.Китай притежава цялостно предимство в индустриалната верига в полупроводниците от трето поколение, обхващащо оборудване, материали, производство и приложения, с потенциал да установи глобална конкурентоспособност.
Време на публикуване: 8 април 2024 г