През последните години, с непрекъснатото навлизане на приложения надолу по веригата, като например превозни средства с нова енергия, фотоволтаично производство на енергия и съхранение на енергия, SiC, като нов полупроводников материал, играе важна роля в тези области. Според доклада за пазара на Power SiC на Yole Intelligence, публикуван през 2023 г., се прогнозира, че до 2028 г. размерът на световния пазар на силови SiC устройства ще достигне близо 9 милиарда долара, което представлява ръст от приблизително 31% в сравнение с 2022 г. Общият размер на пазара на SiC полупроводници показва стабилна тенденция на разширяване.
Сред многобройните пазарни приложения, превозните средства с нова енергия доминират със 70% пазарен дял. В момента Китай се е превърнал в най-големия производител, потребител и износител на превозни средства с нова енергия в света. Според „Nikkei Asian Review“, през 2023 г., благодарение на превозните средства с нова енергия, китайският автомобилен износ за първи път надмина японския, което направи Китай най-големият износител на автомобили в света.
Изправена пред бурно нарастващото пазарно търсене, китайската индустрия за силициев диоксид (SIC) открива критична възможност за развитие.
След публикуването на „Тринадесетия петгодишен план“ за национални научно-технологични иновации от Държавния съвет през юли 2016 г., разработването на полупроводникови чипове от трето поколение получи голямо внимание от правителството и получи положителни отзиви и широка подкрепа в различни региони. До август 2021 г. Министерството на промишлеността и информационните технологии (MIIT) допълнително включи полупроводниците от трето поколение в „Четиринадесетия петгодишен план“ за развитие на промишлените научно-технологични иновации, като по този начин даде допълнителен тласък на растежа на вътрешния пазар на SiC.
Водени както от пазарното търсене, така и от политиките, проектите в местната SiC индустрия се появяват бързо като гъби след дъжд, което представлява ситуация на широко разпространено развитие. Според нашата непълна статистика, към момента строителни проекти, свързани със SiC, са разположени в поне 17 града. Сред тях Дзянсу, Шанхай, Шандонг, Джъдзян, Гуандун, Хунан, Фудзиен и други региони са се превърнали във важни центрове за развитието на SiC индустрията. По-специално, с пускането в производство на новия проект ReTopTech, той ще укрепи допълнително цялата верига на местната полупроводникова индустрия от трето поколение, особено в Гуандун.
Следващото предложение за ReTopTech е 8-инчовият SiC субстрат. Въпреки че 6-инчовите SiC субстрати в момента доминират на пазара, тенденцията на развитие на индустрията постепенно се измества към 8-инчови субстрати поради съображения за намаляване на разходите. Според прогнозите на GTAT се очаква цената на 8-инчовите субстрати да бъде намалена с 20% до 35% в сравнение с 6-инчовите. В момента известни производители на SiC като Wolfspeed, ST, Coherent, Soitec, Sanan, Taike Tianrun и Xilinx Integration, както местни, така и международни, започнаха постепенно да преминават към 8-инчови субстрати.
В този контекст, ReTopTech планира в бъдеще да създаде Център за изследвания и разработки в областта на технологиите за растеж на големи кристали и епитаксия. Компанията ще си сътрудничи с ключови местни лаборатории, за да се ангажира с сътрудничество в споделянето на инструменти и оборудване, както и с изследвания на материали. Освен това, ReTopTech планира да засили сътрудничеството в областта на иновациите в областта на технологиите за обработка на кристали с големи производители на оборудване и да се ангажира с съвместни иновации с водещи предприятия в областта на изследванията и разработките на автомобилни устройства и модули. Тези мерки целят да подобрят нивото на научноизследователската и развойна дейност и индустриализираните производствени технологии на Китай в областта на 8-инчовите подложни платформи.
Полупроводниците от трето поколение, с основен представител SiC, са всеобщо признати за една от най-обещаващите подобласти в цялата полупроводникова индустрия. Китай притежава цялостно предимство в индустриалната верига в полупроводниците от трето поколение, обхващащо оборудване, материали, производство и приложения, с потенциал за установяване на глобална конкурентоспособност.
Време на публикуване: 08 април 2024 г.