На 26-ти Power Cube Semi обяви успешното разработване на първия в Южна Корея 2300V SiC (силициев карбид) MOSFET полупроводник.
В сравнение със съществуващите полупроводници на основата на Si (силиций), SiC (силициев карбид) може да издържи на по-високи напрежения, поради което е приветстван като устройство от следващо поколение, водещо бъдещето на силовите полупроводници.Той служи като ключов компонент, необходим за въвеждане на авангардни технологии, като разпространението на електрически превозни средства и разширяването на центрове за данни, управлявани от изкуствен интелект.
Power Cube Semi е безпроблемна компания, която разработва силови полупроводникови устройства в три основни категории: SiC (силициев карбид), Si (силиций) и Ga2O3 (галиев оксид).Наскоро компанията приложи и продаде бариерни диоди на Шотки (SBD) с голям капацитет на глобална компания за електрически превозни средства в Китай, спечелвайки признание за своя полупроводников дизайн и технология.
Пускането на 2300V SiC MOSFET е забележително като първия подобен случай на разработка в Южна Корея.Infineon, глобална компания за силови полупроводници, базирана в Германия, също обяви пускането на своя продукт 2000V през март, но без продуктова гама 2300V.
2000V CoolSiC MOSFET на Infineon, използвайки пакета TO-247PLUS-4-HCC, отговаря на търсенето за повишена плътност на мощността сред дизайнерите, осигурявайки надеждност на системата дори при строги условия на високо напрежение и честота на превключване.
CoolSiC MOSFET предлага по-високо напрежение на връзката с постоянен ток, което позволява увеличаване на мощността без увеличаване на тока.Това е първото дискретно устройство от силициев карбид на пазара с пробивно напрежение от 2000 V, използващо пакета TO-247PLUS-4-HCC с път на пълзене от 14 mm и хлабина от 5,4 mm.Тези устройства се характеризират с ниски загуби при превключване и са подходящи за приложения като слънчеви инвертори, системи за съхранение на енергия и зареждане на електрически превозни средства.
Продуктовата серия CoolSiC MOSFET 2000V е подходяща за високоволтови DC шинни системи до 1500V DC.В сравнение с 1700V SiC MOSFET, това устройство осигурява достатъчен запас от пренапрежение за 1500V DC системи.CoolSiC MOSFET предлага 4,5 V прагово напрежение и е оборудван със здрави диоди за корпус за твърда комутация.С технологията за свързване .XT, тези компоненти предлагат отлични топлинни характеристики и силна устойчивост на влага.
В допълнение към 2000V CoolSiC MOSFET, Infineon скоро ще пусне допълнителни CoolSiC диоди, опаковани в TO-247PLUS 4-pin и TO-247-2 пакети съответно през третото тримесечие на 2024 г. и последното тримесечие на 2024 г.Тези диоди са особено подходящи за соларни приложения.Предлагат се и съвпадащи продуктови комбинации на драйвери за порти.
Продуктовата серия CoolSiC MOSFET 2000V вече е достъпна на пазара.Освен това Infineon предлага подходящи платки за оценка: EVAL-COOLSIC-2KVHCC.Разработчиците могат да използват тази платка като прецизна обща тестова платформа за оценка на всички CoolSiC MOSFETs и диоди с номинално напрежение 2000V, както и продуктовата серия EiceDRIVER с компактен едноканален изолационен драйвер 1ED31xx чрез работа с двоен импулс или непрекъсната ШИМ.
Gung Shin-soo, главен технологичен директор на Power Cube Semi, заяви: „Успяхме да разширим нашия съществуващ опит в разработването и масовото производство на 1700V SiC MOSFET до 2300V.
Време на публикуване: 8 април 2024 г