В момента нашата компания може да продължи да доставя малки партиди от 8-инчови SiC пластини тип N. Ако имате нужда от мостри, моля, не се колебайте да се свържете с мен. Имаме няколко мостри, готови за доставка.
В областта на полупроводниковите материали компанията постигна сериозен пробив в научноизследователската и развойна дейност на големи SiC кристали. Използвайки собствени зародишни кристали след многократно увеличаване на диаметъра, компанията успешно отгледа 8-инчови SiC N-тип кристали, което решава трудни проблеми като неравномерно температурно поле, напукване на кристали и разпределение на суровините в газова фаза в процеса на растеж на 8-инчови SIC кристали, и ускорява растежа на големи SIC кристали, както и автономната и контролируема технология за обработка. Това значително повишава конкурентоспособността на компанията в индустрията за монокристални SiC субстрати. В същото време компанията активно насърчава натрупването на технологии и процеси в експерименталната линия за подготовка на големи силициево-карбидни субстрати, засилва техническия обмен и индустриалното сътрудничество в областите нагоре и надолу по веригата, и си сътрудничи с клиентите за постоянно подобряване на производителността на продукта, като съвместно насърчава темпото на индустриално приложение на силициево-карбидни материали.
| Спецификации на 8-инчовия N-тип SiC DSP | |||||
| Номер | Елемент | Единица | Производство | Изследване | Манекен |
| 1. Параметри | |||||
| 1.1 | политип | -- | 4H | 4H | 4H |
| 1.2 | ориентация на повърхността | ° | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 | <11-20>4±0,5 |
| 2. Електрически параметър | |||||
| 2.1 | добавка | -- | n-тип азот | n-тип азот | n-тип азот |
| 2.2 | съпротивление | ом · см | 0,015~0,025 | 0,01~0,03 | NA |
| 3. Механичен параметър | |||||
| 3.1 | диаметър | mm | 200±0,2 | 200±0,2 | 200±0,2 |
| 3.2 | дебелина | μm | 500±25 | 500±25 | 500±25 |
| 3.3 | Ориентация на прореза | ° | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 | [1- 100]±5 |
| 3.4 | Дълбочина на прореза | mm | 1~1.5 | 1~1.5 | 1~1.5 |
| 3.5 | Задължителност на общата стойност (LTV) | μm | ≤5 (10 мм * 10 мм) | ≤5 (10 мм * 10 мм) | ≤10 (10 мм * 10 мм) |
| 3.6 | ТТВ | μm | ≤10 | ≤10 | ≤15 |
| 3.7 | Лък | μm | -25~25 | -45~45 | -65~65 |
| 3.8 | Варп | μm | ≤30 | ≤50 | ≤70 |
| 3.9 | АСМ | nm | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 | Ra≤0,2 |
| 4. Структура | |||||
| 4.1 | плътност на микротръбите | брой/см² | ≤2 | ≤10 | ≤50 |
| 4.2 | съдържание на метал | атоми/см² | ≤1E11 | ≤1E11 | NA |
| 4.3 | ТСД | брой/см² | ≤500 | ≤1000 | NA |
| 4.4 | Гранична личностна дисфункция | брой/см² | ≤2000 | ≤5000 | NA |
| 4.5 | ТЕД | брой/см² | ≤7000 | ≤10000 | NA |
| 5. Положително качество | |||||
| 5.1 | отпред | -- | Si | Si | Si |
| 5.2 | повърхностно покритие | -- | Si-face CMP | Si-face CMP | Si-face CMP |
| 5.3 | частица | вафла | ≤100 (размер ≥0,3 μm) | NA | NA |
| 5.4 | драскотина | вафла | ≤5, Обща дължина ≤200 мм | NA | NA |
| 5.5 | Ръб отчупвания/вдлъбнатини/пукнатини/петна/замърсяване | -- | Няма | Няма | NA |
| 5.6 | Политипни области | -- | Няма | Площ ≤10% | Площ ≤30% |
| 5.7 | предна маркировка | -- | Няма | Няма | Няма |
| 6. Качество на гърба | |||||
| 6.1 | заден завършек | -- | C-face MP | C-face MP | C-face MP |
| 6.2 | драскотина | mm | NA | NA | NA |
| 6.3 | Дефекти на гърба по ръб чипове/вдлъбнатини | -- | Няма | Няма | NA |
| 6.4 | Грапавост на гърба | nm | Ra≤5 | Ra≤5 | Ra≤5 |
| 6.5 | Маркировка на гърба | -- | Ноч | Ноч | Ноч |
| 7. Ръб | |||||
| 7.1 | ръб | -- | Скосяване | Скосяване | Скосяване |
| 8. Пакет | |||||
| 8.1 | опаковка | -- | Епи-реагиране с вакуум опаковка | Епи-реагиране с вакуум опаковка | Епи-реагиране с вакуум опаковка |
| 8.2 | опаковка | -- | Многопластов опаковка на касета | Многопластов опаковка на касета | Многопластов опаковка на касета |
Време на публикуване: 18 април 2023 г.