8-инчова SiC пластина производствен клас 4H-N SiC субстрат

Кратко описание:

8-инчовите SiC подложки се използват във високомощностни електронни устройства, като например мощни MOSFET (метал-оксидно-полупроводникови полеви транзистори), Шотки диоди и други силови полупроводникови устройства.


Детайли за продукта

Етикети на продукти

Следната таблица показва спецификациите на нашите 8-инчови SiC пластини:

Спецификации на 8-инчовия N-тип SiC DSP

Номер Елемент Единица Производство Изследване Манекен
1: параметри
1.1 политип -- 4H 4H 4H
1.2 ориентация на повърхността ° <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5 <11-20>4±0,5
2: Електрически параметър
2.1 добавка -- n-тип азот n-тип азот n-тип азот
2.2 съпротивление ом · см 0,015~0,025 0,01~0,03 NA
3: Механичен параметър
3.1 диаметър mm 200±0,2 200±0,2 200±0,2
3.2 дебелина μm 500±25 500±25 500±25
3.3 Ориентация на прореза ° [1- 100]±5 [1- 100]±5 [1- 100]±5
3.4 Дълбочина на прореза mm 1~1.5 1~1.5 1~1.5
3.5 Задължителност на общата стойност (LTV) μm ≤5 (10 мм * 10 мм) ≤5 (10 мм * 10 мм) ≤10 (10 мм * 10 мм)
3.6 ТТВ μm ≤10 ≤10 ≤15
3.7 Лък μm -25~25 -45~45 -65~65
3.8 Варп μm ≤30 ≤50 ≤70
3.9 АСМ nm Ra≤0,2 Ra≤0,2 Ra≤0,2
4: Структура
4.1 плътност на микротръбите брой/см² ≤2 ≤10 ≤50
4.2 съдържание на метал атоми/см² ≤1E11 ≤1E11 NA
4.3 ТСД брой/см² ≤500 ≤1000 NA
4.4 Гранична личностна дисфункция брой/см² ≤2000 ≤5000 NA
4.5 ТЕД брой/см² ≤7000 ≤10000 NA
5. Качество на предната част
5.1 отпред -- Si Si Si
5.2 повърхностно покритие -- Si-face CMP Si-face CMP Si-face CMP
5.3 частица вафла ≤100 (размер ≥0,3 μm) NA NA
5.4 драскотина вафла ≤5, Обща дължина ≤200 мм NA NA
5.5 Ръб
отчупвания/вдлъбнатини/пукнатини/петна/замърсяване
-- Няма Няма NA
5.6 Политипни области -- Няма Площ ≤10% Площ ≤30%
5.7 предна маркировка -- Няма Няма Няма
6: Качество на гърба
6.1 заден завършек -- C-face MP C-face MP C-face MP
6.2 драскотина mm NA NA NA
6.3 Дефекти на гърба по ръб
чипове/вдлъбнатини
-- Няма Няма NA
6.4 Грапавост на гърба nm Ra≤5 Ra≤5 Ra≤5
6.5 Маркировка на гърба -- Ноч Ноч Ноч
7:ръб
7.1 ръб -- Скосяване Скосяване Скосяване
8:Пакет
8.1 опаковка -- Епи-реагиране с вакуум
опаковка
Епи-реагиране с вакуум
опаковка
Епи-реагиране с вакуум
опаковка
8.2 опаковка -- Многопластов
опаковка на касета
Многопластов
опаковка на касета
Многопластов
опаковка на касета

Подробна диаграма

асд (1)
асд (2)
асд (3)

  • Предишно:
  • Следващо:

  • Напишете съобщението си тук и ни го изпратете