3 инча 76,2 мм 4H-полу-SiC субстратна пластина силициев карбид полу-обиждащи SiC пластини

Кратко описание:

Висококачествена монокристална SiC пластина (силициев карбид) за електронната и оптоелектронната индустрия. 3-инчовата SiC пластина е следващо поколение полупроводников материал, полуизолационни силициево-карбидни пластини с диаметър 3 инча. Пластините са предназначени за производство на силови, радиочестотни и оптоелектронни устройства.

Изпратете имейл до нас

Подробности за продукта

Продуктови етикети

Спецификация на продукта

3-инчовите 4H полуизолирани SiC (силициев карбид) субстратни пластини са често използван полупроводников материал. 4H показва тетрахексахедрична кристална структура. Полуизолацията означава, че субстратът има характеристики с висока устойчивост и може да бъде донякъде изолиран от текущия поток.

Такива субстратни пластини имат следните характеристики: висока топлопроводимост, ниска загуба на проводимост, отлична устойчивост на висока температура и отлична механична и химическа стабилност. Тъй като силициевият карбид има широка енергийна празнина и може да издържи на високи температури и условия на високо електрическо поле, полуизолираните пластини 4H-SiC се използват широко в силова електроника и радиочестотни (RF) устройства.

Основните приложения на 4H-SiC полуизолирани пластини включват:

1--Силова електроника: 4H-SiC пластините могат да се използват за производство на устройства за превключване на мощността като MOSFET (полупроводникови транзистори с метален оксид), IGBT (биполярни транзистори с изолиран затвор) и диоди на Шотки. Тези устройства имат по-ниски загуби на проводимост и превключване в среда с високо напрежение и висока температура и предлагат по-висока ефективност и надеждност.

2--Радиочестотни (RF) устройства: 4H-SiC полуизолирани пластини могат да се използват за производство на мощни, високочестотни RF усилватели на мощност, чип резистори, филтри и други устройства. Силициевият карбид има по-добра високочестотна производителност и термична стабилност поради по-голямата си скорост на дрейф на насищане с електрони и по-висока топлопроводимост.

3--Оптоелектронни устройства: 4H-SiC полуизолирани пластини могат да се използват за производство на високомощни лазерни диоди, детектори за UV светлина и оптоелектронни интегрални схеми.

По отношение на посоката на пазара, търсенето на 4H-SiC полуизолирани пластини се увеличава с нарастващите области на силовата електроника, радиочестотите и оптоелектрониката. Това се дължи на факта, че силициевият карбид има широк спектър от приложения, включително енергийна ефективност, електрически превозни средства, възобновяема енергия и комуникации. В бъдеще пазарът на 4H-SiC полуизолирани пластини остава много обещаващ и се очаква да замени конвенционалните силициеви материали в различни приложения.