2 инча силициево-карбидна вафла 6H-N тип първи клас изследователски клас фиктивна степен 330μm 430μm дебелина

2-инчова пластина от силициев карбид 6H-N Тип първокласен клас Изследователски клас фиктивен клас 330μm 430μm дебелина Представено изображение

Кратко описание:

Има много различни полиморфи на силициевия карбид и 6H силициевият карбид е един от близо 200 полиморфа. 6H силициевият карбид е най-често срещаната модификация на силициевия карбид за търговски интереси. 6H пластините от силициев карбид са от първостепенно значение. Могат да се използват като полупроводници. Той се използва широко в абразивни и режещи инструменти като режещи дискове поради своята издръжливост и ниски разходи за материал. Използва се в съвременните композитни бронежилетки и бронежилетки. Използва се и в автомобилната индустрия, където се използва за производство на спирачни дискове. В големи леярски приложения се използва за задържане на топящи се метали в тигли. Използването му в електрически и електронни приложения е толкова добре известно, че не изисква никакъв дебат. Освен това, той се използва в силови електронни устройства, светодиоди, астрономия, пирометрия с тънка нишка, бижута, производство на графен и стомана и като катализатор. Ние предлагаме 6H пластини от силициев карбид с отличително качество и зашеметяващите 99,99%.

Изпратете имейл до нас

Подробности за продукта

Продуктови етикети

Следните са характеристиките на пластината от силициев карбид:

1. Пластината от силициев карбид (SiC) има страхотни електрически свойства и отлични термични свойства. Пластината от силициев карбид (SiC) има ниско термично разширение.

2. Пластината от силициев карбид (SiC) има превъзходни свойства на твърдост. Пластината от силициев карбид (SiC) се представя добре при високи температури.

3. Пластината от силициев карбид (SiC) има висока устойчивост на корозия, ерозия и окисление. В допълнение, пластината от силициев карбид (SiC) също е по-блестяща от диамантите или кубичния цирконий.

4.По-добра радиационна устойчивост: SIC пластините имат по-силна радиационна устойчивост, което ги прави подходящи за използване в радиационна среда. Примерите включват космически кораби и ядрени съоръжения.
5. По-висока твърдост: SIC пластините са по-твърди от силиция, което повишава издръжливостта на пластините по време на обработка.

6. По-ниска диелектрична константа: Диелектричната константа на пластините SIC е по-ниска от тази на силиция, което помага за намаляване на паразитния капацитет в устройството и подобряване на високочестотната производителност.

Пластината от силициев карбид има няколко приложения

SiC се използва за производството на устройства с много високо напрежение и висока мощност като диоди, мощни транзистори и микровълнови устройства с висока мощност. В сравнение с конвенционалните Si-устройства, базираните на SiC захранващи устройства имат по-бърза скорост на превключване, по-високи напрежения, по-ниски паразитни съпротивления, по-малък размер, по-малко необходимо охлаждане поради способността за висока температура.
Докато пластината от силициев карбид (SiC-6H) - 6H има превъзходни електронни свойства, пластината от силициев карбид (SiC-6H) - 6H се приготвя най-лесно и е най-добре проучена.
1. Силова електроника: Пластините от силициев карбид се използват в производството на силова електроника, която се използва в широк спектър от приложения, включително електрически превозни средства, системи за възобновяема енергия и индустриално оборудване. Високата топлопроводимост и ниската загуба на мощност на силициевия карбид го правят идеален материал за тези приложения.
2.LED осветление: Пластините от силициев карбид се използват при производството на LED осветление. Високата якост на силициевия карбид прави възможно производството на светодиоди, които са по-издръжливи и дълготрайни от традиционните източници на осветление.
3. Полупроводникови устройства: Пластините от силициев карбид се използват в производството на полупроводникови устройства, които се използват в широк спектър от приложения, включително телекомуникации, компютри и потребителска електроника. Високата топлопроводимост и ниската загуба на мощност на силициевия карбид го правят идеален материал за тези приложения.
4. Слънчеви клетки: В производството на слънчеви клетки се използват пластини от силициев карбид. Високата якост на силициевия карбид прави възможно производството на слънчеви клетки, които са по-издръжливи и дълготрайни от традиционните слънчеви клетки.
Като цяло ZMSH Silicon Carbide Wafer е универсален и висококачествен продукт, който може да се използва в широк спектър от приложения. Неговата висока топлопроводимост, ниска загуба на мощност и висока якост го правят идеален материал за електронни устройства с висока температура и висока мощност. С дъга/деформация от ≤50um, грапавост на повърхността от ≤1,2nm и съпротивление с високо/ниско съпротивление, пластината от силициев карбид е надежден и ефективен избор за всяко приложение, което изисква равна и гладка повърхност.
Нашият продукт SiC Substrate се предлага с цялостна техническа поддръжка и услуги, за да се гарантира оптимална производителност и удовлетворение на клиентите.
Нашият екип от експерти е на разположение, за да помогне при избора на продукт, инсталирането и отстраняването на неизправности.
Ние предлагаме обучение и образование относно използването и поддръжката на нашите продукти, за да помогнем на нашите клиенти да увеличат максимално своите инвестиции.
Освен това, ние предоставяме текущи актуализации и подобрения на продуктите, за да гарантираме, че нашите клиенти винаги имат достъп до най-новите технологии.