200 mm SiC субстрат, манекен клас 4H-N 8 инча SiC пластина

200 мм SiC субстрат, манекен клас 4H-N 8 инча SiC пластина Представено изображение

Кратко описание:

Подложка от силициев карбид с диаметър 8 инча (около 200 mm). Субстратът от силициев карбид (SiC) е важен материал за производството на силови устройства и оптоелектронни устройства. 8-инчовите SiC субстрати обикновено се използват за производство на високомощни електронни устройства като мощни MOSFET транзистори, захранващи диоди и други високопроизводителни захранващи устройства. Този субстрат с голям размер може да подобри ефективността на производството, да намали производствените разходи и да помогне за производството на по-мощни устройства. Силициевият карбид има отлична топлопроводимост, устойчивост на висока температура и устойчивост на радиация, което го прави идеален избор за производство на високопроизводителни силови устройства.

Изпратете имейл до нас

Подробности за продукта

Продуктови етикети

Техническите трудности при производството на 8-инчов SiC субстрат включват:

1.Растеж на кристали: Постигането на висококачествен монокристален растеж на силициев карбид в големи диаметри може да бъде предизвикателство поради контрола на дефекти и примеси.

2. Обработка на пластини: По-големият размер на 8-инчовите пластини представлява предизвикателство по отношение на еднаквостта и контрола на дефектите по време на обработката на пластини, като полиране, ецване и допинг.

3. Хомогенност на материала: Осигуряването на постоянни свойства на материала и хомогенност в целия 8-инчов SiC субстрат е технически изискващо и изисква прецизен контрол по време на производствения процес.

4. Разходи: Мащабирането до 8-инчови SiC субстрати при поддържане на високо качество на материала и добив може да бъде икономически предизвикателство поради сложността и цената на производствените процеси.

5. Решаването на тези технически трудности е от решаващо значение за широкото приемане на 8-инчови SiC субстрати във високоефективни силови и оптоелектронни устройства.

Ние доставяме сапфирени субстрати от фабрики номер едно за износ на SiC в Китай, включително Tankeblue. Повече от 10 години агенция ни позволиха да поддържаме тясна връзка с фабриката. Ние можем да ви предоставим 6-инчовите и 8-инчовите SiC субстрати, от които се нуждаете за дългосрочни и стабилни доставки, като същевременно предлагаме най-добрата цена и цена.

Tankeblue е високотехнологично предприятие, специализирано в разработването, производството и продажбите на трето поколение полупроводникови чипове от силициев карбид (SiC). Компанията е един от водещите световни производители на SiC пластини.