2-инчов, 4-инчов, 6-инчов шарен сапфирен субстрат (PSS), върху който се отглежда GaN материал, може да се използва за LED осветление

Кратко описание:

Структурираният сапфирен субстрат (PSS) е маска за сухо ецване върху сапфирения субстрат. Маската е гравирана с шаблон чрез стандартен литографски процес, след което сапфирът се ецва чрез ICP технология за ецване. Маската се отстранява и накрая върху нея се нанася GaN материал, така че надлъжната епитаксия на GaN материала да се превърне в хоризонтална епитаксия. Този процес включва няколко стъпки, като нанасяне на фоторезистно покритие, стъпково експозициране, проявяване на шаблон за експозиция, ICP сухо ецване и почистване.

Изпратете ни имейл

Детайли за продукта

Етикети на продукти

Основни характеристики

1. Структурни характеристики:
Повърхността на PSS има подреден конусовиден или триъгълен коничен модел, чиято форма, размер и разпределение могат да се контролират чрез регулиране на параметрите на процеса на ецване.
Тези графични структури помагат за промяна на пътя на разпространение на светлината и намаляване на общото отражение на светлината, като по този начин подобряват ефективността на извличане на светлина.

2. Характеристики на материала:
PSS използва висококачествен сапфир като субстратен материал, който има характеристиките на висока твърдост, висока топлопроводимост, добра химическа стабилност и оптична прозрачност.
Тези характеристики позволяват на PSS да издържа на тежки условия като високи температури и налягания, като същевременно поддържа отлични оптични характеристики.

3. Оптични характеристики:
Чрез промяна на многократното разсейване на границата между GaN и сапфирения субстрат, PSS дава възможност на фотоните, които са напълно отразени вътре в GaN слоя, да излязат от сапфирения субстрат.
Тази функция значително подобрява ефективността на извличане на светлина от светодиода и увеличава светлинния интензитет на светодиода.

4. Характеристики на процеса:
Производственият процес на PSS е сравнително сложен, включващ множество стъпки като литография и ецване, и изисква високопрецизно оборудване и контрол на процеса.
Въпреки това, с непрекъснатото развитие на технологиите и намаляването на разходите, производственият процес на PSS постепенно се оптимизира и подобрява.

Основно предимство

1. Подобряване на ефективността на извличане на светлина: PSS значително подобрява ефективността на извличане на светлина от LED, като променя пътя на разпространение на светлината и намалява общото отражение.

2. Удължаване на живота на светодиода: PSS може да намали плътността на дислокациите на GaN епитаксиалните материали, като по този начин намали нерадиационната рекомбинация и обратния ток на утечка в активната област, удължавайки живота на светодиода.

3. Подобряване на яркостта на светодиода: Благодарение на подобрената ефективност на извличане на светлина и удължаването на живота на светодиода, интензитетът на светлината на светодиода на PSS е значително подобрен.

4. Намаляване на производствените разходи: Въпреки че производственият процес на PSS е сравнително сложен, той може значително да подобри светлинната ефективност и живота на LED, като по този начин намали до известна степен производствените разходи и подобри конкурентоспособността на продукта.

Основни области на приложение

1. LED осветление: PSS като субстратен материал за LED чипове може значително да подобри светлинната ефективност и живота на LED.
В областта на LED осветлението, PSS се използва широко в различни осветителни продукти, като улични лампи, настолни лампи, автомобилни светлини и т.н.

2. Полупроводникови устройства: В допълнение към LED осветлението, PSS може да се използва и за производството на други полупроводникови устройства, като например светлинни детектори, лазери и др. Тези устройства имат широк спектър от приложения в комуникациите, медицината, военните и други области.

3. Оптоелектронна интеграция: Оптичните свойства и стабилността на PSS го правят един от идеалните материали в областта на оптоелектронната интеграция. В оптоелектронната интеграция PSS може да се използва за направата на оптични вълноводи, оптични превключватели и други компоненти за осъществяване на предаването и обработката на оптични сигнали.

Технически параметри

Елемент	Шарен сапфирен субстрат (2~6 инча)
Диаметър	50,8 ± 0,1 мм	100,0 ± 0,2 мм	150,0 ± 0,3 мм
Дебелина	430 ± 25μm	650 ± 25 μm	1000 ± 25 μm
Ориентация на повърхността	Ъгъл на отклонение на равнината C (0001) спрямо оста M (10-10) 0,2 ± 0,1°
	C-равнина (0001) извън ъгъла спрямо оста А (11-20) 0 ± 0,1°
Основна плоска ориентация	А-равнина (11-20) ± 1,0°
Дължина на основната плоска част	16,0 ± 1,0 мм	30,0 ± 1,0 мм	47,5 ± 2,0 мм
R-равнина	9 часа
Финиш на предната повърхност	Шарени
Покритие на задната повърхност	SSP: Фино шлифован, Ra=0.8-1.2um; DSP: Epi-полиран, Ra<0.3nm
Лазерно маркиране	Задна страна
ТТВ	≤8μm	≤10μm	≤20μm
Лък	≤10μm	≤15μm	≤25μm
ДЕФОРМАЦИЯ	≤12μm	≤20μm	≤30μm
Изключване на ръбове	≤2 мм
Спецификация на шаблона	Структура на формата	Купол, конус, пирамида
	Височина на шаблона	1,6~1,8 μm
	Диаметър на шаблона	2,75~2,85μm
	Пространство на шаблона	0,1~0,3μm

XKH се фокусира върху разработването, производството и продажбите на шарени сапфирени субстрати (PSS) и е ангажирана с предоставянето на висококачествени, високопроизводителни PSS продукти на клиенти по целия свят. XKH разполага с усъвършенствана производствена технология и професионален технически екип, който може да персонализира PSS продукти с различни спецификации и различни шарени структури според нуждите на клиента. В същото време XKH обръща внимание на качеството на продуктите и качеството на обслужване и е ангажирана да предоставя на клиентите пълна гама от техническа поддръжка и решения. В областта на PSS, XKH е натрупала богат опит и предимства и очаква с нетърпение да работи съвместно с глобални партньори за съвместно насърчаване на иновативното развитие на LED осветление, полупроводникови устройства и други индустрии.